IST MODEL 878 便携式半导体器件参数测试仪

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多功能、紧凑、强大

IST 878是一款高性价比的测试仪器,可为各种分立半导体器件提供在线或离线测试,包括:

  • Bipolar Transistors
  • MOSFETs
  • IGBTs
  • Diodes
  • Zener Diodes
  • Junction FETs
  • SCRs
  • TRIAC
  • Optoisolators
  • Voltage Regulators
  • TVS (Varistors, SIDACs)

功能测试中的驱动条件

低驱动 Ic ≤ 10 mA
Ib ≤ 0.9 mA
高驱动 Ic ≤ 350 mA
Ib ≤ 75 mA
驱动脉冲 ≤ 300 us

恒定电流源

范围
1 3 mA 50 mA
2 10 mA 150 mA
3 30 mA 400 mA
4 35 mA 500 mA
5 40 mA 650 mA
6 50 mA 750 mA
7 70 mA 1000 mA

器件输出电平阈值

逻辑 离线 在线
11.0V 6.80V
1.18V 2.20V

 

二极管正向电压(Vf)测量 MIN.Vf > 0.1 V,正向电流50 mA ~ 1000mA

齐纳二极管击穿电压(Vz) 范围0.1V~30V,偏置电流3mA~80mA

稳压器输出电压(+/- Vo) 范围:0.2 V~26.0 V,输出负载电流 50mA~1.0A

漏电流测量参数

BIPOLAR / MOSFET TRANSISTORS: Ices, Iceo, Icbo, & Idss

DIODE: Ir THYRISTOR (SCR/TRIAC): Idrm

测量范围* 分辨率 测试条件
0-400 nA 0.1 nA 0-1,099 V 可编程
0-4 uA 1 nA 0-1,099 V 可编程
0-40 uA 10 nA 0-1,099 V 可编程
0-400 uA 100 nA 0-1,099 V 可编程
0-4 mA 1 uA 0-1,099 V 可编程
0-40 mA 10 uA 不可用

MOSFET和J-FET泄漏电流测量

MOSFET: Igss J-FET: Idss, Igss

测量范围* 分辨率 测试条件
0-400 nA 0.1 nA 0-30 V 可编程
0-4 uA 1 nA 0-30 V 可编程
0-40 uA 10 nA 0-30 V 可编程
0-400 uA 100 nA 0-30 V 可编程
0-4 mA 1 uA 0-30 V 可编程
0-40 mA 10 uA 0-30 V 可编程

* - 自动量程

击穿电压测量参数

BIPOLAR / MOSFET TRANSISTORS: BVceo, BVces, BVcbo, & VBdss
DIODE: BVr THYRISTOR: BVdrm

测量范围 分辨率 测试条件
0-30 V 0.03 V 0-40 mA 自动范围
30-1,099 V 1.05 V 0-4 mA 自动范围

高压源

最大输出电压:1,099 V
最大输出功率:3 W

随机配件:

120 V或220 V交流电源适配器
使用说明书
三点探测装置,用于在线测试
用于测试SMD封装的测试插座适配器

可选配件:

三种颜色测试导线(带有小型插头和测试夹)
光耦测试插座适配器
生产测试用测试插座适配器

尺寸:

9.2"宽×6.3"深×2.8"高(23.3厘米×16厘米×7.1厘米)

装运重量:

7.5磅(3.4公斤)

电源适配器:

输入:120 VAC或220 VAC ±5% 50/60 Hz
输出:36 VAC与C.T. 最大800mA

 

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特点及优势

自动设置防错插设计

自动配置测试设置,允许任意方向及排列插入被测器件。仪器可以自动检测被测器件的极性、功能和方向,无需在测试前找到正确的引脚。

全面的测量结果显示

通过或失败的LED指示灯快速显示测试结果状态。显示屏显示完整的测量值:参数数据,设备类型,器件分类,每个引脚的功能或极性。

漏电流检测

高灵敏度的电流测量可以检测损坏或老化的器件泄漏问题。

适合各种封装

提供多种测试头和转接适配器,适合各种直插式和表贴封装的半导体器件。

恒定电流吸收/电流偏置

恒流吸收用于作稳压器输出的负载,电流偏置用于测量二极管或齐纳二极管的电压,二者可互相切换。

指尖测试开关

带有指尖测试开关按钮的三点式探测装置使得在线PCB测试快速简单。

可编程电压源

可编程电源提供高达1099V电压,用于崩溃电压和漏电流测试。

包含常规的22种测试参数:

  • Bipolar Transistors (Iceo, Ices, Icbo, BVceo, BVces, BVcbo)
  • MOSFETs (Idss, Igss, BVdss)
  • Diodes (Ir, BVr, Vf)
  • Zener Diodes (Vz, Iz)
  • Thyristor (Idrm, BVdrm)
  • J-FET (Idss, Igss)
  • Optoisolator (Iceo)
  • Regulator (+/- Vo, +/- I load)
  • I leakage*

* -测量任意两端之间的电压和电流,电压最高达1,099V,电流可低至"nA"。通常用于测试瞬态电压抑制器的钳位电压(Vbr击穿电压),测量器件的输入阻抗(根据欧姆定律 R=V/I),或检测两点之间的泄漏电流(I leak)。